Micron и IBM планируют совершить революцию на рынке оперативной памяти, приступив к коммерческому производству первых 3D-чипов в ближайшие 2 года. Ожидается, что новая память обеспечит 10-кратный прирост скорости.

Американская компания Micron Technology объявила о намерении приступить к коммерческому производству многослойных чипов памяти DRAM, которые будут работать в 10 раз быстрее по сравнению с современными технологиями хранения информации, говорится в официальном сообщении.

Речь, в частности, идет о полупроводниковых элементах под названием Micron Hybrid Memory Cube (HMC), состоящих из нескольких чипов, наложенных друг на друга и соединяющихся вертикальными перемычками.

Технология соединения отдельных чипов в куб заимствована у корпорации IBM. Она способна обеспечить пропускную способность 128 ГБ/с по сравнению с 12,8 ГБ/с, которую способны обеспечить наиболее производительные современные образцы компьютерной памяти (с интерфейсом DDR3).

Кроме того, память Micron HMC требует на 70% меньше электроэнергии для своей работы и занимает в 10 раз меньше пространства в расчете на единицу емкости по сравнению с обычной современной памятью, говорится в сообщении сторон.