До сих пор подобного производства в России не существовало — его появление продвинет целый ряд систем, от фотоэлементов космического назначения до перспективных систем связи.

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН в новосибирском Академгородке подписал соглашение с «РАТМ-Холдингом» и входящим в его состав заводом «Экран-оптические системы». Ученые и бизнес совместными усилиями запустят производство пластин на основе гетероструктур арсенида галлия и нитрида галлия. Эти материалы крайне востребованы в современной микроэлектронике.

На основе соглашения «Экран-оптические системы» за собственные средства приобретет во Франции промышленную установку по работе с галлиевыми полупроводниками. Она будет размещена на территории Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН, в специально подготовленном чистом боксе. Затем институт разработает технологию производства полупроводниковых пластин большого диаметра (подложек) на новой установке.

Далее «промышленные» партнеры института будут продавать созданную продукцию за рубежом и в России. Это будут главным образом эпитаксиальные (полученные послойным наращиванием) пластины со сложной структурой на основе множества слоев арсенида галлия. При этом производство изначально создается гибким, перестраиваемым на новые виды изделий за два-три месяца. Также предполагается и запуск второй установки, которая будет работать с нитридом галлия.

Полупроводники на основе галлия привлекательны тем, что хорошо работают в паре с системами, использующими СВЧ-излучение (кремниевые аналоги здесь проявляют себя хуже), и тем, что в ряде случаев позволяют добиться более высокого КПД (например, фотоэлементы на базе арсенида галлия). Для обычных солнечных панелей они дороговаты, но для космических аппаратов важнее большая эффективность при меньшем весе, а не низкая цена.