Специалистам корпорации IBM удалось продемонстрировать работу графеновых транзисторов на рекордно высоких для данного типа полупроводниковых элементов частотах.

В отличие от кремния, широко применяющегося при изготовлении микросхем в настоящее время, графен остается стабильным даже в том случае, когда речь идет об элементах нанометровых масштабов. Это открывает огромные возможности для разработчиков компьютерных устройств и микрочипов.

Ученые IBM смогли создать графеновые полевые транзисторы на наноуровне и продемонстрировать их работу на гигагерцевых частотах. Более того, впервые была определена зависимость между размерами графенового транзистора и его производительностью. Группа исследователей обнаружила, что увеличение рабочей частоты транзистора достигается с уменьшением его размеров. На данный момент рекордной для графенового транзистора является тактовая частота 26 ГГц, при этом длина затвора транзистора составляет 150 нм.

Исследования IBM спонсируются Агентством перспективных разработок Министерства обороны США (DARPA). По мнению специалистов, производительность графеновых транзисторов можно дополнительно увеличить за счет улучшения диэлектрических свойств затвора. При длине затвора в 50 нанометров теоретически можно добиться рабочих частот терагерцевого уровня. Более подробно с результатами исследований IBM можно ознакомиться в журнале Nano Letters.