Пока флэш отвоевывает позиции у жестких дисков, производители уже вовсю работают над следующим поколение энергонезависимой памяти.

Корпорация Sharp объявила о том, что она совместно с Национальным институтом передовой отраслевой науки и технологий (National Institute of Advanced Industrial Science & Technology) Японии разработала технологию управления RRAM-памятью, которая в 100 раз быстрее распространенной флэш-памяти. Еще более выдающегося результата удалось добиться инженерам IBM, Macronix (Тайвань) и Qimonda (Германия), которые совместно разработали память phase-change RAM (PRAM), которая обещает быть в 500-1000 (!) раз быстрее существующей флэш-памяти, потребляя при этом в 2 раза меньше электроэнергии.