Компании Epson и Fujitsu сообщили об успешном завершении двухлетней работы над технологией оперативной памяти FRAM (Ferroelectric Random Access Memory – ферроэлектрическая память с произвольным доступом). Технология позволит создавать энергонезависимые чипы памяти, которые смогут заменить не только ОЗУ, но и флэш-память в компьютерной индустрии.