Новая технология внутрикремниевых соединений (through-silicon vias — TSV) позволяет увеличить вычислительные мощности не за счёт плоскостного размещения транзисторов, а благодаря их пространственному расположению.

Этот метод позволит более плотно располагать транзисторы в чипах. Благодаря этому можно существенно уменьшить длину использующихся соединительных проводников, что значительно повысит эффективность работы.