Специалисты IBM спроектировали новый тип транзистора, который подходит для создания нового класса энергонезависимой памяти. Этот транзистор в качестве полупроводника использует не кремний, а диоксид ванадия (VO2). Под воздействием положительно заряженной ионной жидкости он совершает фазовый переход в металлическое состояние, а в отрицательном поле снова превращается в изолятор.