Прежде уже создан:
Стенд нанолитографии с проектным разрешением 30 нанометров
К сожалению новость массово не освещалась и получила обсуждение только на специализированных ресурсах.

Нанолитография перспективное направление для создание микро эллектронных структур менее 10 нм. Многие зарубежные производители делают ставку именно на этот метод. Несмотря на ряд недостатков таких устройств впрошлые годы, в настоящее время удалось избавиться от «детских болезне».

Для создания стендов нанолитографии следующего поколения с пространственным разрешением до 8 нм предложены многослойные зеркала на основе La/B (La/B4C) для спектральной области вблизи 6.7 нм. Синтезированы La/B4C/C зеркала нормального падения со сверхтонкими углеродными барьерными слоями с рекордным коэффициентом отражения 58.6%, что позволяет начать разработку многозеркальных схем нанолитографов с рабочей длиной волны излучения 6.7 нм.

Авторский коллектив:
Авторы
Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало, В. Н. Полковников, С. Д. Стариков — ИФМ РАН;
S. Künstner, F. Schäfers — Institute for Nanometre Optics and Technology, HZB-BESSY-II, Берлин, Германия.

В составе российских и германских ученых представил оснащение для литографии с новым качеством разрешения. Что сделало еще один шаг к переходу массового производства менее 10 нм.