В своей работе 2005 года, профессор физики Йохан Акерман расхваливал магниторезистивное оперативное запоминающее устройство (MRAM). По его мнению, оно может заменить различные типы памяти, которые обычно встречаются в современных электронных устройств.

Команда исследователей из Национального университета Сингапура (NUS) и Научно-технического университета короля Саудовской Аравии (KAUST) в настоящее время разрабатывают новый вид MRAM, которые могли бы воплотить в реальность мечты господина Акермана.

На современном этапе многие устройства упаковывают статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM), динамическое оперативное запоминающее устройство (DRAM ) и флэш-память. Каждая из них предлагает свои преимущества и недостатки. SRAM — быстрое, но нестабильное устройство, то есть данные, которые оно хранит, теряются при отключении питания. DRAM предлагает большую плотность памяти, чем SRAM, и оно дешевле.
Но устройство DRAM тоже не обеспечивается надлежащей стабильности, его нужно периодически обновлять и сохранять данные. А это требует большего потребления энергии. Наконец, флэш-память не зависит от энергообеспечения, то есть она сохраняет данные даже при отключении питания. Но она дорого стоит.

MRAM технология позволяет синтезировать преимущества всех этих трех видов памяти, исключил все недостатки. Она обещает большую плотность хранения, сокращение потребления электроэнергии, и будет сохранять даны при отключении питания. Хотя она разрабатывается еще девяностых годов прошлого столетия, ведутся постоянные работы по совершенствованию флеш-памяти и DRAM.

Текущая технология MRAM хранит данные с использованием магнитных элементов хранения. Их образуют две ферромагнитные пластины, разделенных тонким слоем изолятора. Однако надежность MRAM оставляет желать лучшего, потому что эти пластины очень тонкие (менее одного нанометра), и сложно изготовить без дефектов. В результате чего, память хранит данные менее года.

Научно-исследовательская группа смогла заменить ферромагнитные пластины пленкой с альтернативной структурой. Она состоит из магнитных слоев толщиной в двадцать нанометров. Исследователи говорят, что этот метод позволяет хранить данные в течение двадцати лет. Чип MRAM следующего поколения привлекателен для широкого спектра приложений