GS Nanotech и Петрозаводский государственный университет представили первый совместный продукт для СХД

отметили
5
человек
в архиве

Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) и Петрозаводский государственный университет представили опытные образцы твердотельного накопителя (SSD) NVMe в форм-факторе U.2, созданного специально для построения высокопроизводительных систем хранения данных (СХД) на основе all-flash решений. Это первый SSD в таком форм-факторе, полностью разработанный в нашей стране и произведенный на основе NAND-памяти, корпусированной в России. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ. Производство реализовано на мощностях инновационного кластера «Технополис GS», расположенного в Калининградской области.

Накопитель стал первым продуктом, произведенным в рамках консорциума разработчиков и производителей решений для СХД, соглашение о создании которого GS Nanotech, Петрозаводский государственный университет и «ДЕПО Электроникс» подписали в июле 2019 года в рамках выставки «ИННОПРОМ». Цель консорциума — развитие в России экосистемы разработчиков и производителей продуктов и сервисов для СХД, а также формирование рынка конкурентоспособных решений.

«Созданный нами консорциум обладает уникальными для России компетенциями в области корпусирования NAND-памяти для твердотельных накопителей — наиболее современных и производительных носителей информации для СХД. Мы с партнерами планируем развивать техническую базу и продолжим разработку продуктов для all-flash решений. Мы открыты для сотрудничества с другими участниками рынка разработки и производства СХД», — прокомментировал генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников.

«Разработка твердотельных накопителей в форм-факторе U.2 NVMe являлась ключевой задачей проекта, реализованного ПетрГУ и GS Nanotech в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы» Минобрнауки РФ. Дальнейшее развитие проекта предполагает построение высокопроизводительных решений для СХД и ЦОД на основе созданных накопителей NVMe. ПетрГУ продолжит исследования и разработки в области высокоплотных высокопроизводительных решений, предназначенных для хранения данных, и программно-аппаратных систем для обработки и анализа данных», — отметил ректор ПетрГУ, профессор Анатолий Воронин.

Технические характеристики нового продукта

Характеристики

Исполнение изделия

GSPDC01TR16STF

GSPDD02TR16STF

Емкость, Гбайт

960

1 920

Форм-фактор

U.2

U.2

PCIe

PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3

PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3

Ресурс, Тбайт

1 347

2 694

Скорость последовательного чтения, Мбайт/с

до 3 200*

до 3 200*

Скорость последовательной записи, Мбайт/с

до 1 000*

до 1 000*

Количество операций, случайное чтение (4K-QD32), IOPS

до 360 000*

до 350 000*

Количество операций, случайная запись (4K-QD32), IOPS

до 30 000*

до 30 000*

Рабочая температура, ˚С

от 0 до +70

от 0 до +70

Температура хранения, ˚С

от -40 до +85

от -40 до +85

Напряжение питания, В

от 11,04 до 12,96

от 11,04 до 12,96

Устойчивость к вибрации, Гц

до 80 при амплитуде в 1,52 мм до 2 000 при перегрузке в 20 G

Ударостойкость, G

до 1 500 в течение 0,5 мс

до 1 500 в течение 0,5 мс

Устойчивость к влаге, %

до 93 при +40 ˚С

до 93 при +40 ˚С

Соответствует спецификации PCI Express® Base Specification Revision 3.1a

Соответствует требованиям RoHS

Соответствует спецификации NVMe 1.3

* Указано максимальное значение, зависит от используемой NAND Flash-памяти и объема накопителя

GS Group с 2016 года реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD (с англ. «solid-state drive», твердотельные накопители) — немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером. В феврале 2018 года холдинг GS Group запустил массовое производство SSD собственной разработки. Сегодня производитель предлагает целую линейку твердотельных накопителей корпоративного класса емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах. В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей. Весь производственный цикл — разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий — реализован в инновационном кластере «Технополис GS», мощности которого позволяют выпускать более 1 млн устройств в год.

Добавил gs-digital gs-digital 5 Марта 2020
проблема (4)
Комментарии участников:
Ни одного комментария пока не добавлено


Войдите или станьте участником, чтобы комментировать