[2 нм —] ASML и Imec объявили о прорыве в области литографии с высоким числом апертуры High, открывающем путь к созданию транзисторов размером менее 2-х нанометров

отметили
20
человек
в архиве
[2 нм —] ASML и Imec объявили о прорыве в области литографии с высоким числом апертуры High, открывающем путь к созданию транзисторов размером менее 2-х нанометров

Обе компании объявили в среду, что они разработали новую отраслевую логику и структуру DRAM с помощью литографического инструмента Twinscan EXE:5000 EUV с числовой апертурой 0,55, также известного как high-NA.

В мире полупроводниковых технологий произошел настоящий прорыв. Нидерландская компания ASML и бельгийский исследовательский центр Imec объявили о успешном запуске первой в мире литографической системы с высокой числовой апертурой (High-NA). Данное достижение знаменует собой важный шаг в развитии микроэлектроники, открывая путь к созданию транзисторов размером менее 2 нанометров.

Новая технология High-NA в области литографии позволяет преодолеть ограничения существующих методов производства микросхем. Ключевое преимущество — возможность создавать сверхтонкие структуры за одну экспозицию, что значительно ускоряет процесс производства полупроводников и повышает их эффективность. Этот прогресс особенно важен для развития таких областей, как искусственный интеллект, квантовые вычисления и 5G-технологии, требующих все более мощных и энергоэффективных чипов.

В ходе испытаний новой системы Twinscan EXE:5000 EUV были достигнуты впечатляющие результаты. Инженерам удалось создать логические структуры размером до 9,5 нм, что примерно на 30% меньше, чем позволяют нынешние технологии. Кроме того, были напечатаны элементы памяти DRAM размером 32 нм и двумерные структуры в 22 нм — все это за одну экспозицию. Такие показатели открывают дорогу к массовому производству чипов по технологии 1,4 нм, что еще недавно казалось недостижимым.

Twinscan EXE:5000 EUV

Несмотря на очевидные преимущества, внедрение High-NA литографии имеет несколько недостатков. Стоимость каждой машины превышает 400 миллионов долларов, что вынуждает производителей чипов тщательно взвешивать решение о переходе на новую технологию. В связи с этим, компания TSMC, мировой лидер в производстве полупроводников, пока воздерживается от немедленного внедрения High-NA, опасаясь нарушить текущие производственные процессы.

Однако не все компании столь осторожны. Intel, стремясь вернуть лидерство в отрасли, инвестировала значительные средства в новую технологию. Компания заказала все доступные High-NA системы на 2024 год и планирует начать их промышленное использование уже в 2026 году при производстве чипов по технологии Intel 14A. Такой рискованный шаг может существенно изменить расстановку сил на рынке полупроводников.

Успех ASML и Imec в разработке High-NA литографии подчеркивает важность международного сотрудничества в развитии передовых технологий. Объединение опыта голландских инженеров в области литографического оборудования и бельгийских специалистов в исследовании полупроводников позволило создать технологию, которая может стать основой для следующего поколения электронных устройств.

В заключение стоит отметить, что появление High-NA литографии — это не просто техническое достижение. Это шаг к новой эре в электронике, который может привести к разработке более мощных, энергоэффективных и компактных устройств, открывая новые возможности в области вычислений, коммуникаций и обработки данных. Пока рано говорить о массовом внедрении этой технологии, но уже сейчас ясно, что она имеет потенциал кардинально изменить будущее микроэлектроники.

Добавил suare suare 15 Августа
Комментарии участников:
Ни одного комментария пока не добавлено


Войдите или станьте участником, чтобы комментировать